Публикации
HPE InfoSight – искусственный интеллект для центров обработки данных, статья
Использование Linux в общедоступных корпоративных облаках, статья
Перспективы и проблемы ИИ, статья
Платформы Cisco для аналитики, статья
SCM – перспективы одноуровневой памяти, статья
Intel: новые флэш-устройства, статья
ETERNUS AF S2 – новый уровень ценовой доступности для цифровой трансформации , статья
Evergreen – решение главной проблемы СХД , статья
Cisco: гиперконвергенция для новых вызовов , статья
2018 – год начала больших перемен в отрасли , статья
HPDA: еще и ускорение аналитики больших данных , статья
Компоненты архитектуры Intel для СХД нового поколения , статья
SAP Leonardo ML “в разрезе” , статья
Единая платформа мониторинга гетерогенных СХД, статья
 
Обзоры
Все обзоры в Storage News
 
Тематические публикации
Flash-память
Облачные вычисления/сервисы
Специализ. СХД для BI-хранилищ, аналитика "больших данных", интеграция данных
Современные СХД
Информационная безопасность (ИБ), борьба с мошенничеством
Рынки
INTEL CUSTOM FOUNDRY ПРЕДСТАВЛЯЕТ ВЕДУЩИЕ 14-НАНОМЕТРОВЫЕ СХЕМЫ ПАРАЛЛЕЛЬНО-ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНО-ПАРАЛЛЕЛЬНОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ

20, март 2014  — 

  • 14-нм схемы представляют собой второе поколение продукции корпорации Intel
  • 14-нм схемы расширяют рабочий диапазон, сокращая энергопотребление на 20% и занимаемое пространство более чем на 40%.
  • Новая продукция обеспечивает исключительную гибкость использования и возможности для программирования для поддержки различных протоколов.

Intel представила результаты разработки универсальной 14-нанометровой схемы параллельно-последовательного/последовательно-параллельного преобразования со скоростью передачи от 1 до 16 Гбит/с. Это первая разработка в рамках семейства продукции, которое будет включать высокопроизводительные схемы со скоростью от 10 до 32 Гбит/с и схемы с пониженной мощностью со скоростью от 1 до 10 Гбит/с. 14-нанометровые схемы параллельно-последовательного/последовательно-параллельного преобразования корпорации Intel представляют собой второе поколение продукции. Первое поколение схем создается на базе 22-нанометровой производственной технологии Intel с использованием транзисторов Tri - Gate . Новая разработка расширяет рабочий диапазон и уменьшает объем потребления энергии на 20%. Кроме того, новая продукция имеет более чем на 40% меньшие размеры по сравнению с 22-нанометровыми схемами предыдущего поколения.

14-нанометровые схемы параллельно-последовательного/ последо-вательно-параллельного преобразования со скоростью передачи до 16 Гбит/с поддерживают различные протоколы информации, включая USB , PCIe , Ethernet и 10 G - KR , и обеспечивают минимальные флуктуации при сохранении энергоэффективности и компактных размеров. Высокоскоростные схемы со скоростью передачи данных от 10 до 32 Гбит/с позволят реализовать эти преимущества в новых интерфейсах, включая OIF , 100 G Ethernet и 32 Fibre Channel , используемых в высокопроизводительных сетях. Версия с пониженным уровнем энергопотребления сможет предоставить те же самые преимущества и обеспечить минимальное энергопотребление в режиме ожидания для протоколов MIPI M - PHY и USB SSIC , используемых в беспроводных устройствах. Архитектура схем постоянно оптимизировалась по мере выхода новых поколений продукции, что позволяет корпорации обеспечивать ведущие показатели энергопотребления, скорости работы и занимаемой площади.

Схемы параллельно-последовательного/последовательно-парал-лельного преобразования Intel представляют собой готовые решения. Они включают развитую интеграцию, тестовую конфигурацию и модели моделирования системы. Помимо оптимизации таких показателей, как энергопотребление, скорость работы и размеры, были также улучшены такие характеристики, как простота интеграции, гибкость ориентации и настройка конфигурации протоколов.

«Новая разработка сможет предоставить дополнительные преимущества нашим заказчикам, включая быстрый вывод на рынок новой продукции и технологическое лидерство, – сказал Анураг Ханда ( Anurag Handa ), старший директор, Marketing and Business Development , Intel Custom Foundry . – Это заявление стало первым подтверждением преимуществ ведущей в отрасли 14-нанометровой технологии с использованием транзисторов Tri - Gate , и в будущем мы представим новые разработки, которые будут дальше развивать потенциал нашего производственного процесса».

Публикации по теме
Центры обработки данных
 
Новости Intel

© "Storage News" journal, Russia&CIS
Редакция: 115516, Москва, а/я 57; тел./факс - (495) 233-4935;
www.storagenews.ru; info@storagenews.ru.