Публикации
2023 г. – новый этап практического применения CXL, статья
VMware сдвигает акцент в проекте Capitola на CXL, статья
Dell Validated Design for Analytics — Data Lakehouse: интегрированное хранилище данных, статья
OCP Global Summit: решения для Computational Storage и компонуемых масштабируемых архитектур, статья
Samsung CXL MemoryySemantic SSD: 20M IOPs, статья
UCIe – открытый протокол для взаимосвязи чиплетов и построения дезагрегированных инфраструктур, статья
Omni-Path Express – открытый интерконнект для экзафлопных HPC/AI-систем, статья
GigaIO: CDI_решение на базе AMD для высшего образования, статья
Энергоэффективные ЦОД на примерах решений Supermicro, Lenovo, Iceotope, Meta, статья
От хранилищ данных и “озер данных” к open data lakehouse и фабрике данных, статья
EuroHPC JU развивает НРС-экосистему на базе RISC-V, статья
LightOS™ 2.2 – программно-определяемое составное блочное NVMe/TCP хранилище, статья
End-to-end 64G FC NAFA, статья
Computational Storage, статья
Технология KIOXIA Software-Enabled Flash™, статья
Pavilion: 200 млн IOPS на стойку, статья
CXL 2.0: инновации в операциях Load/Store вводаавывода, статья
Тестирование референсной архитектуры Weka AI на базе NVIDIA DGX A100, статья
Fujitsu ETERNUS CS8000 – единая масштабируемая платформа для резервного копирования и архивирования, статья
SmartNIC – новый уровень инфраструктурной обработки, статья
Ethernet SSD, JBOF, EBOF и дезагрегированные хранилища, статья
Compute, Memory и Storage, статья
Lenovo: CXL – будущее серверов с многоуровневой памятью , статья
Liqid: компонуемые дезагрегированные инфраструктуры для HPC и AI, статья
Intel® Agilex™ FPGA, статья
Weka для AI-трансформации, статья
Cloudera Data Platform – “лучшее из двух миров”, статья
Fujitsu ETERNUS DSP - разработано для будущего, статья
Технологии охлаждения для следующего поколения HPC-решений, статья
Что такое современный HBA?, статья
Fugaku– самый быстрый суперкомпьютер в мире, статья
НРС – эпоха революционных изменений, статья
Новое поколение СХД Fujitsu ETERNUS, статья
Зональное хранение данных, статья
За пределами суперкомпьютеров, статья
Применение Intel® Optane™ DC и Intel® FPGA PAC, статья
Адаптивные HPC/AI-архитектуры для экзаскейл-эры, статья
DAOS: СХД для HPC/BigData/AI приложений в эру экзаскейл_вычислений, статья
IPsec в пост-квантовую эру, статья
LiCO: оркестрация гибридныхНРС/AI/BigData_инфраструктур, статья
 
Обзоры
Все обзоры в Storage News
 
Тематические публикации
Flash-память
Облачные вычисления/сервисы
Специализ. СХД для BI-хранилищ, аналитика "больших данных", интеграция данных
Современные СХД
Информационная безопасность (ИБ), борьба с мошенничеством
Рынки
Intel и Micron Technology объявили о создании первой в мире 20-нанометровой (нм) NAND-памяти с многоуровневой структурой ячеек (multi level cell, MLC) емкостью 128 гигабит (Гбит).

6, декабрь 2011  —  Intel и Micron Technology объявили о создании первой в мире 20-нанометровой (нм) NAND-памяти с многоуровневой структурой ячеек (multi level cell, MLC) емкостью 128 гигабит (Гбит). Кроме того, стороны объявили о начале массового производства 20-нм NAND-памяти емкостью 64 Гбит.

Разработанный совместным предприятием Intel и Micron (IM Flash Technologies, IMFT), — это первый в индустрии монолитный модуль. Он позволяет создать чип размером с ноготь емкостью 1 Тбит, используя всего 8 кристаллов. Он удваивает емкость и производительность 20-нм модуля емкостью 64 Гбит. Новый модуль удовлетворяет спецификации ONFI 3.0, способен достигать скорости 333 МТ/с и помогает создавать более эффективные и дешевые твердотельные накопители для смартфонов, планшетов и промышленных систем хранения данных.

Стороны утверждают, что ключом к успеху в области 20-нм техпроцесса стала инновационная структура ячеек. В 20-нм NAND-памяти впервые используется планарная структура, которая позволяет преодолеть проблемы, сопутствующие более сложным технологиям производства, и обеспечить производительность и надежность, присущие предыдущему поколению продуктов. Планарная структура успешно решает сложности масштабирования стандартной ячейки NAND с плавающим затвором путем интеграции технологии Hi-K/Metal Gate Stack.

Спрос на NAND-модули высокой емкости обусловлен тремя связанными между собой тенденциями: ростом цифровой вселенной, миграцией в «облако» и распространением портативных устройств. С ростом объемов цифрового контента пользователи рассчитывают, что их данные будут доступны на любых устройствах, синхронизируясь в «облаке». Для предоставления качественных сервисов центрам обработки данных необходимы системы хранения данных более высокой емкости и быстродействия. Именно такие и позволяет создавать NAND-память. В потребительском сегменте одним из примеров является воспроизведение HD-видео, требующее наличие большого свободного пространства. Новые разработки открывают дополнительные перспективы для создания высокопроизводительной, компактной памяти для мобильных потребительских устройств и «облачных» серверов.

Intel и Micron отмечают, что объемы производства 20-нм NAND-модулей емкостью 64 Гбит, которые компании достигнут в декабре, позволят выполнить быстрый переход к 128-Гбит модулям в 2012 г. К поставкам тестовых образцов модулей емкостью 128 Гбит планируется приступить в январе, а в первой половине 2012 г. - к серийному производству.
Публикации по теме
Современные СХД
 
Новости Intel, Micron Technology

© "Storage News" journal, Russia&CIS
(495) 233-4935;
www.storagenews.ru; info@storagenews.ru.