Публикации
Защита высокоскоростного Ethernet WAN, статья
Pure Storage: платформа хранения для клауд эры, статья
Резервное копирование как основной компонент информационной безопасности, статья
Гиперконвергентная система AERODISK vAIR, статья
Big Data Flash – новый сектор AFA, статья
AI – следующая волна компьютеризации, статья
Veritas Access: программно-определяемое хранилище для неструктурированных данных, статья
Brocade Fabric Vision: новые возможности , статья
Cisco: машинное обучение для ИБ, статья
Рынок серверов: первое положительное полугодие после четырех с половиной лет снижения поставок, новость
Toshiba представляет однокорпусные SSD-диски на основе 64-слойной 3D флеш-памяти, новость
 
Обзоры
Все обзоры в Storage News
 
Тематические публикации
Flash-память
Облачные вычисления/сервисы
Специализ. СХД для BI-хранилищ, аналитика "больших данных", интеграция данных
Современные СХД
Информационная безопасность (ИБ), борьба с мошенничеством
Рынки
Intel и Micron* представляют новую технологию памяти 3D Xpoint

28, июль 2015  — 

•  Intel и Micron * начинают производство нового класса энергонезависимой памяти впервые за последние 25 лет.

•  Технология 3 D XPoint ™ обеспечивает в тысячу раз более высокую скорость (1) обмена данными с памятью по сравнению со стандартом NAND .

•  Компании разработали уникальные композитные материалы и специальную архитектуру, которые позволяют увеличить плотность размещения компонентов в 10 раз по сравнению с обычной памятью (2).

Корпорация Intel и Micron Technology , Inc .* представили технологию 3 D XPoint ™, которая представляет собой энергонезависимую память, способную повысить скорость работы различных устройств, приложений и сервисов, которым необходим быстрый доступ к большим объемам данным. Память 3 D XPoint позволяет создать новую категорию устройств хранения данных впервые со времен выхода на рынок флеш-памяти NAND в 1989 г .

Развитие устройств с расширенными сетевыми возможностями и новых цифровых сервисов привело к значительному увеличению объема данных. Для практического использования создаваемой информации необходимо создать ресурсы для ее хранения и быстрого анализа, что создает трудности для поставщиков услуг и системных разработчиков, которые вынуждены сохранять оптимальное соотношение стоимости, энергопотребления и производительности при проектировании новых устройств хранения данных. Технология 3 D XPoint объединяет в себе все преимущества технологий производства памяти, доступных на рынке. Она отличается высокой производительностью и плотностью размещения компонентов, низким энергопотреблением и доступной ценой. Эта технология до 1 тыс. раз быстрее и имеет до 1 тыс. раз более длительный срок службы (3) по сравнению с памятью NAND . Кроме того, она имеет в 10 раз более высокую плотность размещения компонентов по сравнению с обычной памятью.

«На протяжении нескольких десятилетий компании искали способы сократить время задержки при обращении процессора к данным, чтобы повысить скорость анализа информации, – сказал Роб Крук ( Rob Crooke ), старший вице-президент и генеральный директор Non - Volatile Memory Solutions Group корпорации Intel . – Новый класс энергонезависимой памяти 3 D XPoint позволяет решить эту проблему и повысить скорость работы систем хранения данных».

«Одной из наиболее важных проблем в мире современных вычислительных технологий является длительное время, которое требуется процессору для доступа к данным в системе хранения, – сказал Марк Адамс ( Mark Adams ), президент компании Micron *. – Новый класс энергонезависимой памяти представляет собой революционную технологию, которая обеспечивает быстрый доступ к большим объемам данных и позволяет создать принципиально новые области применения».

Цифровой мир быстро развивается, с 4,4 зеттабайт цифровых данных, созданных в 2013 г., до предполагаемых 44 зеттабайт к концу 2020 (4). Технология 3 D XPoint позволяет превратить этот огромный объем данных в полезную практическую информацию за наносекунды. Так, например, компании розничной торговли могут использовать новую разработку для того, чтобы оперативно определять признаки мошенничества в финансовых операциях; исследователи в области медицины смогут в режиме реального времени обрабатывать и анализировать более крупные массивы данных, ускоряя выполнение сложных научных задач, включая анализ генома человека и мониторинг течения заболевания.

Преимущества высокой скорости 3 D XPoint смогут повысить комфорт пользователей при работе с ПК. Энергонезависимость новой технологии также позволяет использовать ее для различных приложений для хранения данных с низкой задержкой: данные не стираются после выключения устройства.

Новая архитектура для передовой технологии памяти

Основанная на 10 лет исследований и разработок, технология 3 D XPoint была создана с нуля для того, чтобы удовлетворить спрос в энергонезависимых, высокоскоростных, долговечных и высокоемких решениях для хранения данных по доступной цене. В технологии используется новый класс энергонезависимой памяти, которая значительно уменьшает задержки, позволяя хранить больший объем данных ближе к процессору.

Инновационная перекрестная архитектура создает трехмерную «шахматную доску», на которой ячейки памяти размещаются на пересечении числовых линий и разрядных линий, что позволяет в независимом порядке выполнять адресацию. В результате, данные могут записываться и считываться небольшими размерами, что приводит к более быстрому и эффективному процессу чтения/записи.

Характеристики технологии 3 D XPoint :

•  Крестообразная структура – Перпендикулярные проводники объединяют 128 млрд ячеек памяти. Каждая ячейка памяти хранит 1 бит данных. Это позволяет добиться высокой скорости работы и высокой плотности.

•  Многослойность – Помимо расположения в крестообразной структуре, ячейки памяти размещаются в несколько слоев. Изначальная технология позволяет хранить 128 ГБайт на один кристалл для двух слоев памяти. Будущие поколения технологии позволят увеличить количество слоев для масштабирования емкости.

•  Использование селектора – Доступ и чтение или запись в ячейках памяти осуществляются путем изменения значения напряжения, направляемого на каждый селектор. Это позволяет отказаться от необходимости использования транзисторов, что увеличивает емкость и снижает стоимость.

•  Быстродействующие ячейки – Благодаря небольшому размеру ячеек, быстродействующим селекторам, низкой задержке и быстрой записи, ячейки могут переключать состояния быстрее, чем любая технология энергонезависимой памяти.

Пробные поставки продукции на базе технологии 3 D XPoint для отдельных заказчиков начнутся в этом году. Кроме того, Intel и Micron * разрабатывают собственную продукцию на базе этой технологии.

Дополнительная информация :

  • Информационная подборка для СМИ – Micron */ Intel

Примите участие в обсуждениях технологий памяти с помощью каналов социальных сетей Intel :

Примите участие в обсуждениях Micron *:

О корпорации Intel

Intel является лидером в области компьютерных инноваций. Корпорация разрабатывает и создает технологии, которые лежат в основе вычислительных устройств. Являясь лидером в сфере корпоративной и социальной ответственности, Intel также производит первые в мире «бесконфликтные» микропроцессоры. Дополнительную информацию о корпорации Intel можно найти на веб-сайте www . intel . ru / pressroom , на русскоязычном сервере http :// www . intel . ru и на портале conflictfree . intel . com , посвященном инициативам Intel по отказу от использования конфликтных материалов .

О компании Micron Technology, Inc.*
Micron Technology , Inc .* является глобальным лидером в сфере производства полупроводниковых систем. Широкий ассортимент высокоскоростной продукции, включая память DRAM , NAND и NOR , является основой для создания твердотельных накопителей, модулей памяти и других систем. Решения для хранения данных Micron * позволяют создавать самые инновационные вычислительные, пользовательские, корпоративные, сетевые, мобильные, встраиваемые и автомобильные решения.   Акции Micron * торгуются на бирже NASDAQ (условное обозначение: MU ). Дополнительная информация доступна на сайте www . micron . com

Intel и 3 D XPoint являются товарными знаками корпорации Intel в США и других странах.

* Другие торговые марки и товарные знаки являются собственностью их законных владельцев.

© 2015 г . Micron Technology, Inc. Все права защищены . Micron и логотип Micron являются торговыми марками компании Micron Technology , Inc .

Документ содержит заявления прогностического характера. Заявления прогностического характера представляют собой предположения, прогнозы и другие заявления в отношении будущих событий. Они основаны на текущих предположениях и, и в связи с ними имеется ряд неопределенностей и рисков. Многие факторы могут привести к тому, что реальные результаты будут отличаться от тех, которые указаны в этих заявлениях. Подробное описание факторов, которые могут оказать влияние на результаты работы Intel , содержится в документах, направленных в SEC , включая годовой отчет по форме 10- K .

(1) Разница в производительности основана на сравнении рабочих характеристик технологии 3 D XPoint и технологии NAND .

(2) Разница в плотности размещения компонентов основана на сравнении показателей технологии 3 D XPoint и DRAM .

(3) Разница в сроке службы основана на сравнении технологии 3 D XPoint и технологии NAND .

(4) http :// www . emc . com / leadership / digital - universe /2014 iview / executive - summary . htm

Публикации по теме
Современные СХД
Flash-память
 
Новости Intel

© "Storage News" journal, Russia&CIS
Редакция: 115516, Москва, а/я 57; тел./факс - (495) 233-4935;
www.storagenews.ru; info@storagenews.ru.