Toshiba создает первую в мире 48-слойную флеш-память BiCS FLASH™ объемом 256 Гбит
10, август 2015 Инновационная трехмерная многослойная структура позволяет повысить емкость и производительность. Компания Toshiba Corporation представила сегодня новое поколение флеш-памяти с трехмерной (3D) многослойной структурой ячеек BiCS FLASH™ [1] . Новинка стала первым в мире [2] 256-гигабитным (32-гигабайтным) 48-слойным устройством BiCS и использует ведущую в отрасли технологию трехуровневых ячеек (TLC) с тремя битами в каждой ячейке. Поставки ознакомительных образцов начнутся в сентябре. Устройства BiCS FLASH выпускаются на основе самого современного многослойного технологического процесса с 48 слоями, который обеспечивает превосходство в емкости по сравнению с традиционной двумерной флеш-памятью NAND, а также позволяет увеличить количество циклов записи/стирания и повысить скорость записи. Новое устройство емкостью 256 Гбит подходит для различных сфер применения, в том числе для бытовых SSD-дисков, смартфонов, планшетных ПК и карт памяти, а также для корпоративных SSD-дисков, используемых в центрах обработки данных. После представления прототипа технологии BiCS FLASH в июне 2007 г. компания Toshiba продолжила разработки в целях оптимизации для серийного производства. Для удовлетворения растущего спроса на рынке флеш-памяти в 2016 году и с учетом долгосрочной перспективы компания Toshiba активно стимулирует переход на технологии BiCS FLASH, создавая ассортимент изделий для применения в устройствах большой емкости, таких как SSD-диски. Компания Toshiba много лет занимается разработкой и производством флеш-памяти, и в настоящее время готовится к запуску серийного производства устройств BiCS FLASH на новом производственном предприятии Fab2 в промышленной зоне Йоккаити, где в настоящее время размещено производство флеш-памяти NAND. Предприятие Fab2 начнет работу в первой половине 2016 г. Примечания [1] Структура с вертикальным расположением слоев ячеек флеш-памяти на кремниевой подложке, обеспечивающая значительное увеличение плотности по сравнению с планарной флеш-памятью NAND, где ячейки формируются на кремниевой подложке. [2] По состоянию на 4 августа 2015 г. Данные исследования компании Toshiba. *BiCS FLASH является товарным знаком Toshiba Corporation. ### О компании Toshiba Electronics Europe Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) — европейское подразделение по производству электронных компонентов корпорации Toshiba Corporation , одного из крупнейших в мире поставщиков полупроводниковых изделий. Компания TEE предлагает широчайший ассортимент интегральных микросхем и дискретных компонентов, включая высокопроизводительную память, микроконтроллеры, специальные и специализированные интегральные микросхемы для автомобильной отрасли, мультимедийных и промышленных решений, а также для сетевого и телекоммуникационного оборудования. Компания предлагает широкий спектр силовых полупроводниковых приборов, а также носителей информации, включая традиционные и твердотельные жесткие диски, SD-карты и USB-накопители. Компания TEE была основана в 1973 году в г. Нойсс, Германия, и осуществляет разработку, производство, маркетинг и продажи продукции. В настоящее время головной офис компании находится в г. Дюссельдорф, Германия. Компания имеет филиалы во Франции, Италии, Испании, Швеции и в Великобритании. В компании работает около 300 сотрудников. Президент компании — Такаши Нагасава ( Takashi Nagasawa). Подробнее о компании TEE: www.toshiba.semicon-storage.com . |
|