Публикации
HPE InfoSight – искусственный интеллект для центров обработки данных, статья
Использование Linux в общедоступных корпоративных облаках, статья
Перспективы и проблемы ИИ, статья
Платформы Cisco для аналитики, статья
SCM – перспективы одноуровневой памяти, статья
Intel: новые флэш-устройства, статья
ETERNUS AF S2 – новый уровень ценовой доступности для цифровой трансформации , статья
Evergreen – решение главной проблемы СХД , статья
Cisco: гиперконвергенция для новых вызовов , статья
2018 – год начала больших перемен в отрасли , статья
HPDA: еще и ускорение аналитики больших данных , статья
Компоненты архитектуры Intel для СХД нового поколения , статья
SAP Leonardo ML “в разрезе” , статья
Единая платформа мониторинга гетерогенных СХД, статья
 
Обзоры
Все обзоры в Storage News
 
Тематические публикации
Flash-память
Облачные вычисления/сервисы
Специализ. СХД для BI-хранилищ, аналитика "больших данных", интеграция данных
Современные СХД
Информационная безопасность (ИБ), борьба с мошенничеством
Рынки
Micron и Intel укрепляют лидирующие позиции в области технологий памяти 3D NAND

24, май 2018  — 

  • Компании объявляют о готовности первого в отрасли чипа памяти 3D NAND с четырьмя битами на ячейку и о разработке 96-слойной структуры 3D NAND
  • Intel и Micron представляют первый в истории полупроводниковой индустрии коммерчески доступный кристалл емкостью 1 Тбит с четырьмя битами на ячейку (QLC)
  • Компания завершила подготовку к серийному производству микросхем 3D NAND памяти с четырьмя битами на ячейку по 64-слойному техпроцессу 3D NAND второго поколения. Технология с четырьмя битами на ячейку (QLC) обеспечивает на 33% более высокую плотность записи в сравнении с технологией с тремя битами на ячейку (TLC)
  • В третьем поколении 3D NAND используется 96 слоев транзисторов, что позволяет компаниям сохранить лидерство с точки зрения соотношения цены/плотности записи
  • Третье поколение чипов памяти позволяет добиться самой высокой в отрасли плотности записи в гигабитах на квадратный миллиметр

Компания Micron Technology Inc. и корпорация Intel сегодня объявили о запуске в производство и начале поставок первых в отрасли микросхем памяти 3D NAND с четырьмя битами на ячейку. Построенная на базе уже зарекомендовавшей себя 64-слойной структуры, новая технология NAND памяти с записью четырех бит на ячейку обеспечивает плотность записи в 1 Тбит на кристалл, что является самой высокой на сегодняшней день плотностью записи для флеш-памяти.

Кроме того, компании сообщили о новых успехах в области создания 96-слойной структуры 3D NAND памяти третьего поколения, в которой число слоев увеличено на 50% по сравнению с предыдущим поколением. Эти достижения в структуре ячеек позволяют компаниям сохранить лидирующие позиции в производстве микросхем с самыми высокими показателями плотности записи.

Оба технологических достижения в области NAND памяти – 64-слойная QLC и 96-слойная TLC память – используют технологию CuA (CMOS under array), что позволяет сократить размер кристалла и обеспечить улучшенную производительность при сравнении с другими конкурирующими технологиями. За счет использования четырех плоскостей по сравнению с двумя у конкурентов, новая флеш-память NAND производства Intel и Micron позволяет осуществлять запись и чтение одновременно на большем числе ячеек, что приводит к увеличению скорости записи и повышению пропускной способности на уровне всей  системы.

Новая 64-слойная технология NAND памяти с записью четырех бит на ячейку позволяет добиться более высокой плотности хранения данных в меньшем объеме, обеспечивая значительную экономию для рабочих нагрузок в облачных окружениях с большим числом операций чтения. Она также отлично подходит для потребительских и клиентских вычислений, обеспечивая оптимальные с точки зрения затрат решения для хранения данных.

«С выпуском 64-слойной NAND памяти с 4 битами на ячейку, мы смогли добиться увеличения плотности записи на 33% по  сравнению с технологией TLC, что позволило нам выпустить первый в истории полупроводниковой индустрии коммерчески доступный кристалл емкостью 1 терабит, – говорит исполнительный вице-президент Micron по развитию технологий Скотт  ДеБоер. – Мы продолжаем инновации в сфере технологий флеш-памяти, представив 96-слойную структуру, которая позволяет уместить еще больше данных в меньшем пространстве, открывая возможности для расширения рабочих нагрузок и создания новых приложений».

«Запуск в коммерческое производство микросхем памяти емкостью 1 Тбит с четырьмя битами на ячейку является важной вехой в истории NVM памяти. Все это стало возможным благодаря многочисленным инновациям в технологиях и дизайне, которые еще больше расширили потенциал  3D NAND памяти с плавающим затвором, – говорит Рагупати Гиридхар, вице-президент Intel по разработкам технологий энергонезависимой памяти. – Переход на технологии с записью четырех бит на ячейку открывает новые впечатляющие возможности для повышения плотности и снижения стоимости устройств хранения данных в центрах обработки данных и в клиентских системах».

Подробнее о Micron Technology Inc.

Micron Technology является мировым лидером по разработке инновационных решений в области памяти. Компании принадлежат глобальные бренды Micron, Crucial ®  и Ballistix ® ; предлагая мощное портфолио высокопроизводительных технологий памяти, в том числе DRAM, NAND, NOR Flash и 3D XPoint™, компания в корне меняет характер работы с информацией. Имея за своими плечами почти сорок лет технологического лидерства, Micron производит память, которая используется для самых инновационных вычислений, в потребительской технике, в корпоративных системах хранения данных, в центрах обработки данных, в мобильных устройствах, встраиваемых решениях и в автомобильной электронике. Обыкновенные акции Micron торгуются на бирже Nasdaq под тикером MU. Более подробная информация о Micron Technology, Inc. представлена на сайте  micron.com .

Публикации по теме
Flash-память
Рынки
 
Новости Intel

© "Storage News" journal, Russia&CIS
Редакция: 115516, Москва, а/я 57; тел./факс - (495) 233-4935;
www.storagenews.ru; info@storagenews.ru.