Публикации
Новое поколение СХД Fujitsu ETERNUS, статья
Зональное хранение данных, статья
За пределами суперкомпьютеров, статья
Применение Intel® Optane™ DC и Intel® FPGA PAC, статья
Адаптивные HPC/AI-архитектуры для экзаскейл-эры, статья
HPE: легкий путь в IIoT, статья
DAOS: СХД для HPC/BigData/AI приложений в эру экзаскейл_вычислений, статья
IPsec в пост-квантовую эру, статья
Дезагрегированные компонуемые среды для высокопроизводительных задач, статья
HPE Primera: интеллектуальная СХД HPE 3PAR, статья
HPE Elastic Platform for Big Data and Analytics, статья
LiCO: оркестрация гибридныхНРС/AI/BigData_инфраструктур, статья
FusionStorage 8.X: облачное хранилище для ЦОД нового поколения, статья
Микросхемы ускорения вычислений нейросетей, статья
Persistent Memory: новый уровень хранения данных, статья
Как строить озера данных? , статья
End-to-end NVMe AFA-массивы Huawei, статья
Violin Systems: новые решения для новых вызовов, статья
SweRV Core – первое RISC-V процессорное ядро Western Digital, статья
Преимущества использования SCM-кэша в составе внешних СХД HPE, статья
Технологии кэширования данных современных СХД, статья
HPE InfoSight – искусственный интеллект для центров обработки данных, статья
Intel: новые флэш-устройства, статья
 
Обзоры
Все обзоры в Storage News
 
Тематические публикации
Flash-память
Облачные вычисления/сервисы
Специализ. СХД для BI-хранилищ, аналитика "больших данных", интеграция данных
Современные СХД
Информационная безопасность (ИБ), борьба с мошенничеством
Рынки
GS Nanotech и Петрозаводский государственный университет представили первый совместный продукт для СХД

4, март 2020  —  Центр разработки и производства микроэлектроники GS Nanotech (в составе холдинга GS Group) и Петрозаводский государственный университет представили опытные образцы твердотельного накопителя (SSD) NVMe в форм-факторе U.2, созданного специально для построения высокопроизводительных систем хранения данных (СХД) на основе all-flash решений. Это первый SSD в таком форм-факторе, полностью разработанный в нашей стране и произведенный на основе NAND-памяти, корпусированной в России. На текущий момент это максимально возможный уровень локализации таких устройств в РФ. Производство реализовано на мощностях инновационного кластера « Технополис GS », расположенного в Калининградской области.

Накопитель стал первым продуктом, произведенным в рамках консорциума разработчиков и производителей решений для СХД, соглашение о создании которого GS Nanotech, Петрозаводский государственный университет и « ДЕПО Электроникс » подписали в июле 2019 года в рамках выставки « ИННОПРОМ ». Цель консорциума — развитие в России экосистемы разработчиков и производителей продуктов и сервисов для СХД, а также формирование рынка конкурентоспособных решений.

« Созданный нами консорциум обладает уникальными для России компетенциями в области корпусирования NAND-памяти для твердотельных накопителей — наиболее современных и производительных носителей информации для СХД. Мы с партнерами планируем развивать техническую базу и продолжим разработку продуктов для all-flash решений. Мы открыты для сотрудничества с другими участниками рынка разработки и производства СХД », — прокомментировал генеральный директор GS Nanotech Евгений Масленников.

« Разработка твердотельных накопителей в форм-факторе U.2 NVMe являлась ключевой задачей проекта, реализованного ПетрГУ и GS Nanotech в рамках ФЦП « Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 годы » Минобрнауки РФ. Дальнейшее развитие проекта предполагает построение высокопроизводительных решений для СХД и ЦОД на основе созданных накопителей NVMe. ПетрГУ продолжит исследования и разработки в области высокоплотных высокопроизводительных решений, предназначенных для хранения данных, и программно-аппаратных систем для обработки и анализа данных », — отметил ректор ПетрГУ, профессор Анатолий Воронин.

Технические характеристики нового продукта

Характеристики

Исполнение изделия

 

GSPDC01TR16STF

GSPDD02TR16STF

Емкость, Гбайт

960

1 920

Форм-фактор

U.2

U.2

PCIe

PCIe Gen3 x4, NVMe 1.3

PCIe Gen3 x4, NVMe 1.3

Ресурс, Тбайт

1 347

2 694

Скорость последовательного чтения, Мбайт/с

до 3  200*

до 3  200*

Скорость последовательной записи, Мбайт/с

до 1  000*

до 1  000*

Количество операций, случайное чтение (4K-QD32), IOPS

до 360  000*

до 350  000*

Количество операций, случайная запись (4K-QD32), IOPS

до 30  000*

до 30  000*

Рабочая температура, ?С

от 0 до +70

от 0 до +70

Температура хранения, ?С

от -40 до +85

от -40 до +85

Напряжение питания, В

от 11,04 до 12,96

от 11,04 до 12,96

Устойчивость к вибрации, Гц

до 80 при амплитуде в 1,52 мм
до 2  000 при перегрузке в 20 G

Ударостойкость, G

до 1 500 в течение 0,5 мс

до 1 500 в течение 0,5 мс

Устойчивость к влаге, %

до 93 при +40 ?С

до 93 при +40 ?С

Соответствует спецификации PCI Express ® Base Specification Revision 3.1a

Соответствует требованиям RoHS

Соответствует спецификации NVMe 1.3

* Указано максимальное значение, зависит от используемой NAND Flash-памяти и объема накопителя

GS Group с 2016 года реализует первый в России проект по разработке и массовому производству SSD (с англ. «solid-state drive», твердотельные накопители) — немеханических запоминающих устройств на основе микросхем памяти с управляющим контроллером. В феврале 2018 года холдинг GS Group запустил массовое производство SSD собственной разработки. Сегодня производитель предлагает целую линейку твердотельных накопителей корпоративного класса емкостью до 2 ТБ в нескольких форм-факторах. В основе SSD использованы произведенные GS Nanotech модули памяти, в составе которых — последнее поколение кристаллов NAND-памяти от ведущих мировых производителей. Весь производственный цикл — разработка и проектирование SSD, корпусирование модулей NAND-памяти, монтаж компонентов на плате, финальная сборка и упаковка изделий — реализован в инновационном кластере « Технополис  GS», мощности которого позволяют выпускать более 1 млн устройств в год.

Справка

GS Nanotech ( ОАО « ДжиЭс-Нанотех ») — одно из ведущих в Восточной Европе предприятий по разработке, корпусированию и тестированию микроэлектронной продукции. GS Nanotech — динамично развивающийся частный научно-производственный центр в области микроэлектроники. На сегодняшний день это единственная в России компания, разрабатывающая и массово выпускающая собственные микропроцессоры для потребительской электроники, в том числе «c истемы-в-корпусе » (System-in-Package, SiP). Используя передовые технологии в области микроэлектроники, GS Nanotech предлагает внешним заказчикам услуги по проектированию и сборке микросхем по технологии SiP на коммерческой основе, корпусирование любых цифровых, аналоговых и гибридных микросхем в различные виды корпусов BGA, LGA, QFN, а также полный спектр услуг по автоматическому функциональному тестированию интегральных схем в соответствии со стандартами JEDEC. Завод оснащен современным оборудованием от ведущих мировых производителей. Производственные мощности GS Nanotech — до 20 млн микросхем и до 1 млн SSD в год. Предприятие входит в состав частного инновационного кластера « Технополис GS » ( г. Гусев Калининградской области).

«Технополис GS » — крупнейший в России частный инновационный кластер. Расположен в г. Гусеве Калининградской области. Площадь развиваемой территории — 230 га. Инвестор — холдинг GS Group. В кластере реализуется полный цикл производства микроэлектроники и потребительской электроники. Мощности предприятий позволяют выпускать до 20 млн микрочипов и до 17 млн бытовых радиоэлектронных изделий в год. Действуют R&D и образовательный центры, формируются современная жилая зона и арт-центр, « умная инфраструктура » и уникальная креативная среда. На базе кластера реализуется комплексная образовательная программа: действует профориентационная программа и ежегодно проводятся международные конкурсы по математике и физике для школьников; создается Университетский кампус в области инженерных и технических наук.

« Технополис GS » — успешный пример того, как городская среда малого города трансформируется под влиянием преобразований, проводимых российской частной корпорацией. В реализации проекта использованы лучшие практики развития территорий, разработанные совместно с ведущими центрами урбанистики.

GS Group — российский инвестиционно-промышленный холдинг, ведущий деятельность на базе собственных высоких технологий в сфере телекоммуникаций и инноваций. Штаб-квартира холдинга расположена в Санкт-Петербурге.

Ключевые компетенции: создание и управление телевещательными проектами по всему миру, разработка и производство микроэлектроники, разработка и производство электроники полного цикла, разработка и интеграция программных продуктов, R&D и производство наноматериалов, инвестирование в венчурные проекты, развитие инновационного кластера « Технополис GS », глубокая переработка древесины, производство и управление медиаконтентом, рекламная деятельность полного цикла, деятельность в области телеизмерений.

ФГБОУ ВО « Петрозаводский государственный университет » классический университет в городе Петрозаводске, Республика Карелия. В вузе обучается около 10  000 студентов. Основан в 1940 году. В ПетрГУ работает свыше 1000 преподавателей и научных сотрудников, функционирует 14 образовательных институтов и факультетов, 65 кафедр, 35 базовых кафедр на предприятиях и в организациях, 296 образовательных программ. В 2017 году университет получил статус опорного вуза Республики Карелии.

Подробнее: https://petrsu.ru/
Публикации по теме
Flash-память
 
Новости GS Nanotech

© "Storage News" journal, Russia&CIS
Редакция: 115516, Москва, а/я 88; тел./факс - (495) 233-4935;
www.storagenews.ru; info@storagenews.ru.