29, июль 2022  — 

Попытки создать новый уровень памяти провалились, поскольку конкуренты предложили более быстрые и открытые альтернативы.
(Тобиас Манн , https :// www . theregister . com /2022/07/29/ intel _ optane _ memory _ dead /)

Генеральный директор Intel Пэт Гелсингер (Pat Gelsinger) подтвердил , что Intel прекратит свой бизнес Optane, прекратив свои попытки создать и продвигать уровень памяти, который немного медленнее, чем RAM, но обладает такими достоинствами, как постоянство и высокая скорость ввода-вывода в секунду.

Однако новость не должна стать неожиданностью. Подразделение некоторое время находилось на жизнеобеспечении после решения Micron в 2018 году закрыть совместное предприятие с Intel, продав завод, на котором производились чипы 3D XPoint, которые используются в накопителях и модулях Optane. Хотя Intel сообщила, что открыта для использования сторонних литейных цехов, не имея средств для производства собственного кремния Optane, сообщение было на стене.

Как сообщил в мае наш дочерний сайт Blocks and Files , продажа состоялась только после того, как Micron оседлала Intel избытком модулей памяти 3D XPoint — больше, чем производитель чипов мог продать. По оценкам, запасы Intel составляют запасы примерно на два года.

В своем отчете о плохих доходах за второй квартал Intel сообщила, что выход из Optane приведет к обесцениванию запасов на 559 миллионов долларов. Другими словами, компания отказывается от проекта и списывает запасы как убыток.

Сделка также знаменует собой конец бизнеса Intel по производству твердотельных накопителей. Два года назад Intel продала свой бизнес по производству флэш-памяти NAND и производственные планы компании SK hynix, чтобы сосредоточить свои усилия на бизнесе Optane.

Анонсированная в 2015 году память 3D XPoint появилась два года спустя в виде твердотельных накопителей Intel Optane. Однако, в отличие от твердотельных накопителей конкурентов, твердотельные накопители Optane не могли конкурировать по емкости или скорости. Вместо этого устройства предлагали одни из самых высоких показателей производительности ввода-вывода на рынке — качество, которое делало их особенно привлекательными в приложениях, чувствительных к задержкам, где число операций ввода-вывода в секунду важнее, чем пропускная способность. Intel заявила, что ее твердотельные накопители P5800X на базе PCIe 4.0 могут достигать производительности до 1,6 миллиона операций ввода-вывода в секунду.

Intel также использовала 3D XPoint в своих модулях DIMM энергонезависимой памяти Optane, особенно в связи с выпуском процессоров Xeon Scalable второго и третьего поколения.

Издалека модули Intel Optane DIMM ничем не отличались от вашей обычной памяти DDR4, за исключением, возможно, теплоотвода. Однако при ближайшем рассмотрении объем модулей DIMM может быть намного больше, чем это возможно сегодня с памятью DDR4. Емкость 512 ГБ на модуль DIMM не была редкостью.

Модули DIMM вставлялись вместе со стандартной памятью DDR4 и обеспечивали ряд новых вариантов использования, включая многоуровневую архитектуру памяти, которая была практически прозрачна для программного обеспечения операционной системы. При таком развертывании память DDR рассматривалась как большой кэш-память 4-го уровня, а память Optane вела себя как системная память.

Несмотря на то, что этот подход не сравнится с производительностью DRAM, он позволяет развертывать очень большие рабочие нагрузки с интенсивным использованием памяти, такие как базы данных, за долю стоимости эквивалентного объема памяти DDR4, не требуя настройки программного обеспечения. Во всяком случае, это была идея.

Optane DIMM также можно настроить для работы в качестве высокопроизводительного устройства хранения или комбинации хранилища и памяти.

Что теперь?

Хотя DDR5 обещает решить некоторые проблемы емкости, которые решила энергонезависимая память Optane, с запланированной емкостью DIMM 512 ГБ, она вряд ли будет конкурентоспособной по цене.

Память DDR не дешевеет — по крайней мере , не быстро, — но цены на флэш-память NAND резко падают , поскольку предложение превышает спрос. Все это время твердотельные накопители становятся быстрее в спешке.

На этой неделе Micron начала массовое производство 232-слойного модуля, который подтолкнет потребительские твердотельные накопители к скорости 10+ ГБ/с. Аналитики сообщают The Register , что это все еще недостаточно быстро или с малой задержкой, чтобы заменить Optane для больших рабочих нагрузок в памяти , но это очень близко к 17 ГБ / с, предлагаемым одним каналом бюджетной DDR4.

Итак, если NAND не является ответом, тогда что? На самом деле на горизонте появилась альтернатива памяти Optane. Это называется Compute Express Link (CXL), и Intel уже вложила значительные средства в эту технологию. Представленный в 2019 году CXL определяет согласованный с кешем интерфейс для подключения ЦП, памяти, ускорителей и других периферийных устройств.

CXL 1.1, который будет поставляться вместе с давно отложенными процессорами Intel Sapphire Rapids Xeon Scalable и AMD Eypc Genoa и Bergamo четвертого поколения в конце этого года, позволяет подключать память непосредственно к ЦП по каналу PCIe 5.0.

Поставщики, в том числе Samsung и Marvell , уже планируют модули расширения памяти, которые вставляются в PCIe, такие как GPU, и обеспечивают большой пул дополнительной емкости для рабочих нагрузок, интенсивно использующих память.

Приобретение Marvell Tanzanite этой весной позволит поставщику предлагать многоуровневую память, подобную Optane.

Более того, поскольку память управляется контроллером CXL на плате расширения, старые и более дешевые модули DDR4 или даже DDR3 можно использовать вместе с современными модулями DIMM DDR5. В этом отношении многоуровневая память на основе CXL может быть лучше, поскольку она не зависит от специализированной архитектуры памяти, такой как 3D XPoint.

VMware размышляет над программно-определяемой памятью , которая разделяет память с одного сервера на другие устройства. Эта попытка будет гораздо более действенной, если будет использоваться такой стандарт, как CXL.

Однако для эмуляции некоторых аспектов энергонезависимой памяти Intel Optane, возможно, придется подождать, пока на рынке не появятся первые ЦП, совместимые с CXL 2.0, в которых будет добавлена поддержка объединения и переключения памяти. Также еще предстоит выяснить, как программное обеспечение взаимодействует с модулями памяти CXL в многоуровневых приложениях памяти. ®