20, апрель 2023  — 

•  Разрабатывает продукт HBM3 с самой большой в отрасли емкостью памяти 24 ГБ; оценка эффективности образцов заказчиками в процессе

•  Отличается большой емкостью и высокой производительностью благодаря объединению в стек 12 микросхем DRAM.

•  Планы завершить подготовку к массовому производству к первой половине 2023 года, чтобы укрепить лидерство компании на передовом рынке DRAM.

SK hynix Inc. (или «компания», www.skhynix.com ) сегодня объявила о том, что стала первой в отрасли компанией, разработавшей 12-слойный продукт HBM3 (1) с объемом памяти 24 гигабайта (ГБ) , который в настоящее время является самым большим в отрасли. , и сказал, что оценка производительности образцов клиентов находится в стадии реализации.

«Компании удалось разработать пакетный продукт емкостью 24 ГБ, в котором емкость памяти увеличилась на 50% по сравнению с предыдущим продуктом, после массового производства первого в мире HBM3 в июне прошлого года», — заявили в SK hynix. «Мы сможем поставлять новые продукты на рынок со второй половины года в соответствии с растущим спросом на продукты памяти премиум-класса, обусловленным индустрией чат-ботов на базе искусственного интеллекта».

Инженеры SK hynix повысили эффективность процесса и стабильность производительности, применив технологию Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF) (3) к последнему продукту, а технология Through Silicon Via (TSV) (4) уменьшила толщину одного чипа DRAM на 40%, достигнув тот же уровень высоты стека, что и у продукта на 16 ГБ.

HBM, впервые разработанный SK hynix в 2013 году, привлек широкое внимание производителей микросхем памяти своей решающей ролью в реализации генеративного ИИ, который работает в системах высокопроизводительных вычислений (HPC).

Последний стандарт HBM3, в частности, считается оптимальным продуктом для быстрой обработки больших объемов данных, и поэтому его принятие крупными мировыми технологическими компаниями растет.

SK hynix предоставила образцы своего 24-гигабайтного продукта HBM3 нескольким клиентам, которые выразили большие надежды на новейший продукт, в то время как оценка производительности продукта продолжается.

«Модели искусственного интеллекта продолжают расти и стимулировать спрос на большую емкость памяти, — сказал Роман Киричинский, CVP Product Management в AMD. «Мы приветствуем усилия наших поставщиков памяти по увеличению емкости памяти HBM для поддержки передовых моделей искусственного интеллекта».

«SK hynix смогла постоянно разрабатывать серию высокоскоростных и высокопроизводительных продуктов HBM благодаря своим передовым технологиям, используемым в производственных процессах», — сказал Санг Ху Хонг, руководитель отдела упаковки и тестирования в SK hynix. «Компания планирует завершить подготовку к массовому производству нового продукта в первой половине года, чтобы еще больше укрепить свое лидерство на передовом рынке DRAM в эпоху искусственного интеллекта».

О компании SK Hynix Inc.

SK hynix Inc. со штаб-квартирой в Корее является ведущим мировым поставщиком полупроводников, предлагающим микросхемы динамической оперативной памяти («DRAM»), микросхемы флэш-памяти («NAND flash») и датчики изображения CMOS («CIS») для широкого спектра выдающихся клиентов по всему миру. Акции Компании торгуются на Корейской бирже, а акции Глобального депозитария котируются на Люксембургской фондовой бирже. Дополнительная информация о SK hynix доступна на сайтах www.skhynix.com , news.skhynix.com .

(1) HBM (High Bandwidth Memory) : высококачественная высокопроизводительная память, которая вертикально соединяет несколько микросхем DRAM и значительно увеличивает скорость обработки данных по сравнению с традиционными продуктами DRAM. HBM3 — продукт 4- го поколения, пришедший на смену предыдущим поколениям HBM, HBM2 и HBM2E.

(2) Максимальный объем памяти ранее разработанного 8-слойного продукта HBM3 составлял 16 ГБ.

(3) MR-MUF (формованная заливка массовым оплавлением) : метод размещения нескольких чипов на нижней подложке и их одновременного соединения посредством оплавления, а затем одновременного заполнения зазора между чипами или между чипом и подложкой материалом для пресс-формы.

(4) TSV (Through Silicon Via) : технология межсоединений, используемая в передовых корпусах, которая соединяет верхнюю и нижнюю микросхемы с электродом, который вертикально проходит через тысячи тонких отверстий в микросхемах DRAM. HBM3 от SK hynix, в который интегрирована эта технология, может обрабатывать до 819 ГБ в секунду, а это означает, что за одну секунду можно передать 163 фильма FHD (Full-HD).