12, май 2023  — 

CXL DRAM емкостью 128 ГБ на основе усовершенствованного интерфейса CXL 2.0 будет запущен в массовое производство в этом году, что ускорит коммерциализацию решений памяти нового поколения

Samsung продолжит сотрудничество с мировыми производителями центров обработки данных, серверов и производителей микросхем для поддержки экосистемы CXL

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, сегодня объявила о разработке первой в отрасли памяти DRAM емкостью 128 гигабайт (ГБ) для поддержки Compute Express Link™ (CXL™) 2.0. Компания Samsung тесно сотрудничала с Intel в разработке этого знакового усовершенствования платформы Intel® Xeon®.

Ожидается, что, основываясь на разработке первой в отрасли памяти CXL DRAM на базе CXL 1.1 в мае 2022 года, Samsung представит 128 ГБ памяти CXL DRAM на основе CXL 2.0, что ускорит коммерциализацию решений памяти следующего поколения. Новая память CXL DRAM поддерживает интерфейс PCle 5.0 (x8 линий) и обеспечивает пропускную способность до 35 ГБ в секунду.

«Являясь членом совета директоров консорциума CXL, Samsung Electronics остается в авангарде технологий CXL, — сказал Чангсок Чой, вице-президент группы нового бизнес-планирования в Samsung Electronics. «Эта революционная разработка подчеркивает наше стремление к дальнейшему расширению экосистемы CXL за счет партнерских отношений с производителями центров обработки данных, серверов и чипсетов во всей отрасли».

«Intel рада сотрудничеству с Samsung над их инвестициями в динамичную экосистему CXL, — сказал Джим Паппас, директор по технологическим инициативам корпорации Intel. Intel продолжит сотрудничество с Samsung, чтобы способствовать росту и внедрению инновационных продуктов CXL во всей отрасли».

«Компания Montage рада начать массовое производство первых контроллеров с поддержкой CXL 2.0, — сказал Стивен Тай, президент Montage Technology. «Мы с нетерпением ждем продолжения нашего партнерства с Samsung для продвижения технологии CXL и расширения ее экосистемы».

CXL 2.0 впервые поддерживает пул памяти — метод управления памятью, который связывает несколько блоков памяти CXL на серверной платформе для формирования пула и позволяет хостам динамически выделять память из пула по мере необходимости. Новая технология позволяет заказчикам максимально повысить эффективность при одновременном снижении эксплуатационных расходов, что, в свою очередь, поможет заказчикам реинвестировать ресурсы в укрепление серверной памяти.

Samsung планирует начать массовое производство CXL 2.0 DRAM в конце этого года и готова предоставить дополнительные предложения различной емкости для удовлетворения спроса на будущие вычислительные приложения.

CXL — это интерфейс следующего поколения, повышающий эффективность ускорителей, DRAM и устройств хранения данных, используемых с ЦП в высокопроизводительных серверных системах. Учитывая, что его пропускная способность и емкость могут быть расширены при использовании с основной DRAM, ожидается, что развитие технологии произведет фурор на рынке вычислений следующего поколения, где ключевые технологии, такие как искусственный интеллект (ИИ) и машинное обучение (МО), лидируют. к быстрому росту спроса на высокоскоростную обработку данных.

? Все изображения, прикрепленные к пресс-релизам, опубликованным в Samsung Newsroom, также доступны в медиатеке Samsung Newsroom.