Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, сегодня объявила , что разработала первую в отрасли 32-гигабитную (ГБ) DDR5 DRAM (1) с использованием технологического процесса 12 нанометров (нм). Это достижение стало результатом того, что в мае 2023 года компания Samsung начала массовое производство своей 16-гигабитной памяти DDR5 DRAM 12-нм класса. Оно укрепляет лидерство Samsung в технологии DRAM нового поколения и сигнализирует о начале новой главы в области памяти высокой емкости.

«Благодаря нашей 32-гигабайтной DRAM-памяти 12-нм класса мы получили решение, которое позволит использовать модули DRAM емкостью до 1 терабайта (ТБ), что позволяет нам быть в идеальном положении для удовлетворения растущей потребности в DRAM высокой емкости в эпоху искусственного интеллекта. (искусственный интеллект) и большие данные», — сказал Санджун Хван, исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM компании Samsung Electronics. «Мы продолжим разрабатывать решения DRAM, используя дифференцированные технологии обработки и проектирования, чтобы преодолеть границы технологий памяти».

Разработав свою первую 64-килобитную (Кб) DRAM в 1983 году, компания Samsung за последние 40 лет сумела увеличить емкость своей DRAM в 500 000 раз.

Новейший продукт памяти Samsung, разработанный с использованием передовых процессов и технологий для повышения плотности интеграции и оптимизации конструкции, может похвастаться самой высокой в ??отрасли емкостью для одного чипа DRAM и предлагает двойную емкость 16 ГБ DDR5 DRAM в том же размере корпуса.

Ранее для модулей DRAM DDR5 емкостью 128 ГБ, изготовленных с использованием DRAM объемом 16 ГБ, требовался процесс Through Silicon Via (TSV). Однако благодаря использованию 32-Гбайт DRAM от Samsung модуль 128 ГБ теперь можно производить без использования процесса TSV, при этом энергопотребление снижается примерно на 10% по сравнению с модулями 128 ГБ с 16 ГБ DRAM. Этот технологический прорыв делает продукт оптимальным решением для предприятий, которые уделяют особое внимание энергоэффективности , например центров обработки данных.

Используя в качестве основы свою 32-гигабайтную DDR5 DRAM 12-нм класса, Samsung планирует продолжать расширять линейку DRAM высокой емкости для удовлетворения текущих и будущих потребностей компьютерной и ИТ-индустрии. Samsung подтвердит свое лидерство на рынке DRAM следующего поколения, поставляя DRAM 32 Гбит 12-нм класса центрам обработки данных, а также клиентам, которым требуются такие приложения, как искусственный интеллект и вычисления нового поколения. Этот продукт также сыграет важную роль в дальнейшем сотрудничестве Samsung с другими ключевыми игроками отрасли.

Массовое производство новой 32-гигабайтной памяти DDR5 DRAM 12-нм класса планируется начать к концу этого года.

Чтобы узнать больше о продуктах Samsung DRAM, посетите веб-сайт Samsung Semiconductor .

(1) DDR5 DRAM: двойная скорость передачи данных. 5 Динамическая память с произвольным доступом.